高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)采用電阻熱蒸發(fā)技術(shù)，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜?？捎糜谏a(chǎn)和科學(xué)實(shí)驗(yàn)，可根據(jù)用戶要求專門訂制；可用于材料的物理和化學(xué)研究；可用于制備金屬導(dǎo)電電極；可用于有機(jī)材料的物理化學(xué)性能研究實(shí)驗(yàn)、有機(jī)半導(dǎo)體器件的原理研究實(shí)驗(yàn)、OLED實(shí)驗(yàn)研究及有機(jī)太陽能薄膜電池研究實(shí)驗(yàn)等。

設(shè)備構(gòu)成

單鍍膜室

單鍍膜室＋進(jìn)樣室

單鍍膜室＋手套箱（可將鍍膜室放在手套箱內(nèi)）

單鍍膜室＋進(jìn)樣室＋手套箱（可將鍍膜室放在手套箱內(nèi)）

多鍍膜室＋樣品傳遞室＋手套箱（組成團(tuán)簇式結(jié)構(gòu)，樣品傳遞采用真空機(jī)械手）

設(shè)備組成

-電阻熱蒸發(fā)源組件

-樣品掩膜擋板系統(tǒng)

-真空獲得系統(tǒng)及真空測量系統(tǒng)

-分子泵（或冷泵）真空機(jī)組

-旋轉(zhuǎn)基片加熱臺

-工作氣路

-手套箱連接部件

-樣品傳遞機(jī)構(gòu)

-膜厚控制系統(tǒng)

-電控系統(tǒng)

-恒溫冷卻水系統(tǒng)

-熱蒸發(fā)源類型和數(shù)量，可根據(jù)用戶需要進(jìn)行配置

-膜厚監(jiān)控儀、恒溫制冷水箱（可選）

熱蒸發(fā)源種類及配置

電阻熱蒸發(fā)源組件

數(shù)量:1～12套（可根據(jù)用戶要求配裝）

電阻熱蒸發(fā)源種類

-鉭（鎢或鉬）金屬舟熱蒸發(fā)源組件

-石英舟熱蒸發(fā)源組件

-鎢極或鎢藍(lán)熱蒸發(fā)源組件

-鉭爐熱蒸發(fā)源組件（配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝）

-束源爐熱蒸發(fā)組件（配石英坩堝或氮化硼坩堝）

工作條件（實(shí)驗(yàn)室應(yīng)具備的設(shè)備工作條件）

真空性能

極限真空：7×10^-5Pa～7×10^-6Pa

設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī)12小時(shí),≤10Pa

操作方式

手動、半自動

關(guān)于鵬城半導(dǎo)體

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱鵬城半導(dǎo)體），由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與高端精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，激光沉積設(shè)備PLD

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備

|真空鍍膜機(jī)專用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績分布

完全自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10^-8Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室投入使用，至今仍在正常使用。

設(shè)計(jì)制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設(shè)計(jì)制造了全自動磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實(shí)現(xiàn)LED無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計(jì)制造了磁控濺射研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。

設(shè)計(jì)制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。

團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

2001年    與南昌大學(xué)合作

設(shè)計(jì)了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2005年    與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作

設(shè)計(jì)制造了第一臺完全自主知識產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備，用于外延光電半導(dǎo)體材料。

2006年    與中國科技大學(xué)合作

設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生長。

2007年    與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作

設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。

2015年    中科院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室合作

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。

2017年

-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。

-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。

2019年    設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。

2021年    MBE生產(chǎn)型設(shè)計(jì)。

2022年    大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。

2023年    PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關(guān)。