LPCVD（低壓力化學氣相沉積）設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si₃N₄、SiO₂及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。

設備結(jié)構(gòu)及特點：

1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本

兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標準基片。

2、設備為水平管臥式結(jié)構(gòu)

由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用；設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統(tǒng)，量值準確，性能穩(wěn)定、可靠。

生產(chǎn)型LPCVD設備

設備功能

該設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si₃N₄、SiO₂及Poly硅薄膜）。

可提供相關(guān)鍍膜工藝。

設備結(jié)構(gòu)及特點

設備為水平管臥式結(jié)構(gòu)，由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用；設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統(tǒng)，量值準確，性能穩(wěn)定、可靠。

整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理，實現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進行監(jiān)測和自動控制。也可以手動控制。

設備軟件控制界面

關(guān)于鵬城半導體

鵬城半導體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體），由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務是微納技術(shù)與高端精密制造，具體應用領(lǐng)域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設計和生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術(shù)研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備先進的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機，激光沉積設備PLD

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備

|真空鍍膜機專用電源/真空鍍膜機控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團隊部分業(yè)績分布

完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達到2×10^-8Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位香港城市大學先進材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F(xiàn)使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學。

團隊在第三代半導體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

2001年    與南昌大學合作

設計了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2005年    與浙江大學光學儀器國家重點實驗室合作

設計制造了第一臺完全自主知識產(chǎn)權(quán)的分子束外延設備，用于外延光電半導體材料。

2006年    與中國科技大學合作

設計超高溫CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生長。

2007年   與蘭州大學物理學院合作

設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。

2015年  中科院金屬研究所沈陽材料科學國家（聯(lián)合）實驗室合作

設計制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜。

2017年

-優(yōu)化Rheed設計，開始生產(chǎn)型MBE設計。

-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進行設備工藝驗證。

2019年 設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設備。

2021年   MBE生產(chǎn)型設計。

2022年   大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。

2023年   PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關(guān)。