小型管式LPCVD設(shè)備簡(jiǎn)介

LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

1、小型化，方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用，大幅降低實(shí)驗(yàn)成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。

2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)

由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測(cè)和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

 成膜類型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等

 最*高溫度 1200℃

 恒溫區(qū)長(zhǎng)度 根據(jù)用戶需要配置

 恒溫區(qū)控溫精度 ≤±0.5℃

 工作壓強(qiáng)范圍 13～1330Pa

 膜層不均勻性 ≤±5％

 基片每次裝載數(shù)量 標(biāo)準(zhǔn)基片:1～3片;不規(guī)則尺寸散片:若干

 壓力控制 閉環(huán)充氣式控制

 裝片方式 手動(dòng)進(jìn)出樣品

生產(chǎn)型LPCVD設(shè)備簡(jiǎn)介

設(shè)備功能

該設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

可提供相關(guān)鍍膜工藝。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：

設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)，由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測(cè)和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。

整個(gè)工藝過程由計(jì)算機(jī)對(duì)全部工藝流程進(jìn)行管理，實(shí)現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門動(dòng)作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)和自動(dòng)控制。也可以手動(dòng)控制。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

 成膜類型  Si3N4、Poly-Si、SiO2等

 最*高溫度 1200℃

 恒溫區(qū)長(zhǎng)度 根據(jù)用戶需要配置

 恒溫區(qū)控溫精度 ≤±0.5℃

 工作壓強(qiáng)范圍 13～1330Pa

 膜層不均勻性 ≤±5％

 基片每次裝載數(shù)量 100片

 設(shè)備總功率 16kW

 冷卻水用量 2m3/h

 壓力控制 閉環(huán)充氣式控制

 裝片方式 懸臂舟自動(dòng)送樣

LPCVD軟件控制界面