IRFR4105TRPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 HEXFE 集成電路 IR
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IRFR4105TRPBF-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管-HEXFE

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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 HEXFET
批號(hào) 22+
包裝 最新
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型 N 通道
漏源電壓(Vdss) 55 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 27A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 45 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 34 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 700 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
型號(hào) IRFR4105TRPBF
數(shù)量 92000
商品介紹

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搶購價(jià):商品參與營銷活動(dòng)的活動(dòng)價(jià)格,也可能隨著購買數(shù)量不同或所選規(guī)格不同而發(fā)生變化,最終以訂單結(jié)算頁價(jià)格為準(zhǔn)。

特別提示:商品詳情頁中(含主圖)以文字或者圖片形式標(biāo)注的搶購價(jià)等價(jià)格可能是在特定活動(dòng)時(shí)段下的價(jià)格,商品的具體價(jià)格以訂單結(jié)算頁價(jià)格為準(zhǔn)或者是您與商家聯(lián)系后協(xié)商達(dá)成的實(shí)際成交價(jià)格為準(zhǔn);如您發(fā)現(xiàn)活動(dòng)商品價(jià)格或活動(dòng)信息有異常,建議購買前先咨詢商家。    








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公司名稱 半導(dǎo)體電子元器件廠家
聯(lián)系賣家 朱慧 (QQ:2880524286)
電話 钺钵钼钼-钹钶钸钳钼钸钼钸
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網(wǎng)址 http://goic1688.com
地址 廣東省深圳市
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