SPD15P10P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 HEXFET集成電路 Infineon
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SPD15P10P-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管-HEXFET集成電路

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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 HEXFET
批號 22+
包裝 最新
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 15A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 200 毫歐 @ 11.3A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1.54mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 62 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 1490 pF @ 25 V
FET 功能 -
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
型號 SPD15P10P
數(shù)量 92000
功率耗散(最大值) 128W(Tc)
商品介紹

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搶購價:商品參與營銷活動的活動價格,也可能隨著購買數(shù)量不同或所選規(guī)格不同而發(fā)生變化,最終以訂單結(jié)算頁價格為準(zhǔn)。

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公司名稱 半導(dǎo)體電子元器件廠家
聯(lián)系賣家 朱慧 (QQ:2880524286)
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網(wǎng)址 http://goic1688.com
地址 廣東省深圳市
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