IRF7343QTRPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 HEXFE 集成電路 IR
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IRF7343QTRPBF-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管-HEXFE

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品牌 IR
封裝 SOP-8
系列 HEXFET
批號 22+
包裝 最新
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型 N 和 P 溝道
漏源電壓(Vdss) 55V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.7A,3.4A
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 50 毫歐 @ 4.7A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 740pF @ 25V
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
型號 IRF7343QTRPBF
數(shù)量 92000
商品介紹

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