
IRF1902UPBF-分立半導體產品-晶體管-HEXFET
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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 HEXFET
批號 22+
包裝 最新
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.2A(Ta)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 85 毫歐 @ 4A,4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 310 pF @ 15 V
FET 功能 -
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
型號 IRF1902UPBF
數量 92000
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
FET 類型 N 通道
商品介紹
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公司名稱 半導體電子元器件廠家
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地址 廣東省深圳市
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