一、主要用途: 本設(shè)備廣泛應(yīng)用于進行批量生產(chǎn)的各大、中、小型企業(yè)，它主要用于中小規(guī)模集 成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn),由于本機找平機構(gòu)先進，找平力 小、使本機不僅適合各型基片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝 光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

二、 主要性能指標(biāo) 1、曝光類型：單面，接觸式；

2、曝光面積：110×110mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調(diào)；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm（也可以配專用曝光頭實現(xiàn) g 線、h 線、I 線的組合）；

7、紫外光源壽命：≥2 萬小時；

8、曝光分辨率：1μm（正膠，膠厚 1.5μm）

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃描范圍：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、對準(zhǔn)范圍：X、Y±3mm；Q 粗調(diào)±15°，細(xì)調(diào)±3°；

12、套刻精度：1μm;

13、分離量；0～50μm 可調(diào)；

14、接觸－分離漂移：≤2μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點式自動找平；

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