SMT設(shè)備再流焊實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)

隨著BGA、CSP和0201元器件的大量使用，特別是無鉛焊料的使用，人們?cè)絹碓礁杏X到再流焊爐溫度高精度控制的重要性。

再流焊實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)，就像一臺(tái)攝像機(jī)一樣，可以24h對(duì)再流焊爐進(jìn)行監(jiān)視記錄，對(duì)過程中的每個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行跟蹤，并將爐內(nèi)溫度記錄在案。它能確保工藝能力得以維持，在潛在缺陷發(fā)生前指出存在的問題，并隨時(shí)向工藝人員提供翔實(shí)、客觀的數(shù)據(jù)。

對(duì)于同一產(chǎn)品只需測(cè)一次溫度曲線，作為基準(zhǔn)曲線，監(jiān)控系統(tǒng)會(huì)通過軌道兩側(cè)溫度探測(cè)管中的熱電偶實(shí)時(shí)監(jiān)控爐腔不同位置的溫度變化，從而推測(cè)出PCB上每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的實(shí)時(shí)溫度，以基準(zhǔn)曲線為標(biāo)準(zhǔn)，為制程中的每一塊PCB推測(cè)出一個(gè)準(zhǔn)確的方真曲線。方真溫度曲線可水久保留，當(dāng)懷疑某時(shí)刻的SMA焊接質(zhì)量時(shí)，可以通過輸入加工時(shí)間調(diào)出當(dāng)時(shí)的爐內(nèi)方真溫度曲線，并以此查出爐溫是否異常，一目了然。

先進(jìn)的工藝技術(shù)設(shè)備決定SMT品質(zhì)

1、工藝設(shè)備達(dá)不到產(chǎn)品高質(zhì)量生產(chǎn)要求，會(huì)造成電路板產(chǎn)品質(zhì)量不合格

2、先的工藝設(shè)備才能造出高質(zhì)量的電路板產(chǎn)品

靖邦的工藝技術(shù)設(shè)備？

1、瑞士進(jìn)口SMT設(shè)備

2、回流焊  美國(guó)偉創(chuàng)力

3、前沿工匠級(jí)設(shè)備：瑞典進(jìn)口MY500錫膏噴印機(jī)，能實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)線，免鋼網(wǎng)錫膏印刷特快交付4小時(shí)。（200萬一臺(tái)瑞典進(jìn)口、電腦操縱、效率極高、可靈活解決各種疑難雜癥）

精度高：在4G加速度運(yùn)行情況下，能使噴印出來的錫膏與焊盤完全吻合

個(gè)性定制：錫膏厚度可人工編程，想厚就厚，想薄就薄

4、錫膏自動(dòng)印刷機(jī)

5、X-RAY光，檢測(cè)肉眼無法檢測(cè)的焊接

總結(jié):

靖邦從美國(guó)、日本、德國(guó)、以色列等地購(gòu)置的先進(jìn)生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備，提升生產(chǎn)測(cè)試及技術(shù)能力。通過與日本、德國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家的客戶合作，采用了工藝技術(shù)及先進(jìn)的管理手段，從他們高標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格要求中工藝水平不斷改進(jìn)。

目前 PCB 制造擁有的激光直接成像、高頻板制造、特性阻抗控制、盲埋孔制造、鋁基板、飛針測(cè)試技術(shù)均在行業(yè)，現(xiàn)已成功申請(qǐng)：

1發(fā)明公布 CN107067270A   PCB制造過程工藝質(zhì)量跟蹤方法

2 實(shí)用新型 CN206183276U  呼吸傳感腹帶用測(cè)量電容

3 實(shí)用新型 CN206183262U  集成式ECG測(cè)量帶

4 實(shí)用新型 CN206057107U  板的垂直沖擊實(shí)驗(yàn)裝置

5 實(shí)用新型 CN206059368U  堆積式的BGA封裝結(jié)構(gòu)

6 實(shí)用新型 CN206057106U  PCB板的擺動(dòng)沖擊實(shí)驗(yàn)裝置

7 實(shí)用新型 CN206061393U  用于電子封裝的化學(xué)氣相沉積工藝金剛石基體冷卻裝置

SMT貼片加工中BGA虛焊有哪些情況？

電氣斷路的焊接缺陷稱為虛焊，一般發(fā)生在用戶使用過程中。根據(jù)焊點(diǎn)的失效機(jī)理或主要原因，BGA的虛焊點(diǎn)大致可分為以下幾類:

( 1 )焊盤無潤(rùn)濕示。

(2 )球窩。

(3 )冷焊。

(4 )塊狀I(lǐng)MC斷裂。

(5 )機(jī)械應(yīng)力斷裂。

(6 )黑盤斷裂。

( 7 )縮錫斷裂。

(8)重熔型斷裂。

( 9 )阻焊膜型斷裂。

( 10 )界面空洞斷裂，包括焊接時(shí)BGA空洞向上漂移引起的BGA側(cè)界面空洞和Im-Ag型香檳界面空洞。