STW9N150 ST 21+ TO-247
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 STW9N150
品牌 ST
批號 21+
封裝 TO-247
QQ 847049310
數(shù)量 20000
最小漏源擊穿電壓 1500 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 8 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 2.5 Ω
最大漏極電流 (ID) 8 A
商品介紹
型號 STW9N150  品牌 ST 
批號 21+  封裝 TO-247 
QQ 847049310 
參數(shù)名稱參數(shù)值
Source Content uidSTW9N150
Brand NameSTMicroelectronics
生命周期Active
零件包裝代碼TO-247
包裝說明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數(shù)3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代碼EAR99
Factory Lead Time12 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級1.61
Samacsys DescriptionSTMICROELECTRONICS - STW9N150 - MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V
Samacsys ManufacturerSTMicroelectronics
雪崩能效等級(Eas)720 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓1500 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)8 A
最大漏極電流 (ID)8 A
最大漏源導(dǎo)通電阻2.5 Ω
FET 技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼TO-247
JESD-30 代碼R-PSFM-T3
JESD-609代碼e3
元件數(shù)量1
端子數(shù)量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度150 °C
封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
封裝形狀RECTANGULAR
封裝形式FLANGE MOUNT
峰值回流溫度(攝氏度)NOT SPECIFIED
極性/信道類型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)320 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)32 A
認(rèn)證狀態(tài)Not Qualified
子類別FET General Purpose Power
表面貼裝NO
端子面層Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用SWITCHING
晶體管元件材料SILICON

聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市唯有度科技有限公司
聯(lián)系賣家 屈巧弟 (QQ:847049310)
電話 萨萭营营-萧萬营萭萭萪萪萫
手機(jī) 萦营萧萦萧营萧萬萤萤萧
地址 廣東省深圳市
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