STN3NF06L STM 21+ SOT223
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STN3NF06L-STM-21+-SOT223

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 STN3NF06L
品牌 STM
批號 21+
封裝 SOT223
QQ 847049310
數(shù)量 14000
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 3 A
最大漏極電流 (ID) 4 A
商品介紹
型號 STN3NF06L  品牌 STM 
批號 21+  封裝 SOT223 
QQ 847049310 
參數(shù)名稱參數(shù)值
Source Content uidSTN3NF06L
Brand NameSTMicroelectronics
生命周期Active
包裝說明ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
針數(shù)4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代碼EAR99
Factory Lead Time12 weeks
風險等級0.88
Samacsys DescriptionMOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP
Samacsys ManufacturerSTMicroelectronics
其他特性LOW THRESHOLD
外殼連接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)3 A
最大漏極電流 (ID)4 A
最大漏源導通電阻0.12 Ω
FET 技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼R-PDSO-G4
JESD-609代碼e3
濕度敏感等級1
元件數(shù)量1
端子數(shù)量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度150 °C
封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
封裝形狀RECTANGULAR
封裝形式SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)260
極性/信道類型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
認證狀態(tài)Not Qualified
子類別FET General Purpose Power
表面貼裝YES
端子面層Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間NOT SPECIFIED
晶體管應用SWITCHING
晶體管元件材料SILICON

聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市唯有度科技有限公司
聯(lián)系賣家 屈巧弟 (QQ:847049310)
電話 钺钵钼钼-钻钹钼钵钵钸钸钶
手機 钳钼钻钳钻钼钻钹钷钷钻
地址 廣東省深圳市
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