原裝 SI2333CDS-T1-GE3 貼片SOT-23 絲印03 VISHAY MOS場效應
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商品介紹
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品牌 VISHAY
Q Q 2530694866
封裝 SOT-23
批號 2019+
數(shù)量 320000
漏源電壓(Vdss) 12V
電流 - 連續(xù)漏極 7.1A(Tc)
驅動電壓 1.8V,4.5V
商品介紹

商品詳情


制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET?
包裝方式帶卷(TR)
壽命周期在售
FET 類型P 溝道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)7.1A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)25nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)1225pF @ 6V
功率耗散(最大值)1.25W(Ta),2.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)35 毫歐 @ 5.1A,4.5V
工作溫度范圍-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝
封裝 / 箱體SOT-23-3(TO-236)
封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3






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公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 (QQ:2530694866)
電話 ῧῦῤῤ-ῢ῟ῦῢῧῠῠῠ
手機 ῡ῟ῦῨῤῤῥῧῨῨῨ
傳真 ῧῦῤῤ-ῢῨῢῧῧῢῢῥ
地址 廣東省深圳市
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