氫敏MOS場(chǎng)效應(yīng)管 SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY SOT-23 工廠價(jià)格優(yōu)惠
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商品介紹
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型號(hào) SI2308BDS-T1-GE3
品牌 VISHAY
封裝 SOT-23
QQ 2530694866
數(shù)量 320000
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 17 周
FET類型 P溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
商品介紹

技術(shù)參數(shù)

品牌:VISHAY
型號(hào):SI2308BDS-T1-GE3
批號(hào):19+
封裝:SOT-23
數(shù)量:320000
QQ:2530694866
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL):1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期:17 周
系列:TrenchFET?
包裝:剪切帶(CT) ,帶卷(TR) 
零件狀態(tài):在售
FET類型:P溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):30V
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):3.5A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):6.2nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):340pF@15V
柵源電壓 Vgss:±20V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.1W(Ta),1.8W(Tc)
不同 Id,Vgs時(shí)的 RdsOn(最大值):88毫歐@3.5A,10V
工作溫度:-55°C~150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝(SMT)



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公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 (QQ:2530694866)
電話 钺钵钼钼-钻钶钵钻钺钸钸钸
手機(jī) 钳钶钵钹钼钼钴钺钹钹钹
傳真 钺钵钼钼-钻钹钻钺钺钻钻钴
地址 廣東省深圳市
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