深圳市米萊歐科技有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: ESD靜電二極管, TVS二極管, 電池充電和管理電源, MOS管, LDO低功耗穩(wěn)壓管
钳钶钵钹钼钼钴钺钹钹钹
氫敏MOS場(chǎng)效應(yīng)管-SI2308BDS-T1-GE3-VISHAY-SOT-23
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聯(lián)系人 姚少華
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號(hào) SI2308BDS-T1-GE3
品牌 VISHAY
封裝 SOT-23
QQ 2530694866
數(shù)量 320000
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 17 周
FET類型 P溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
商品介紹
技術(shù)參數(shù)
品牌: | VISHAY |
型號(hào): | SI2308BDS-T1-GE3 |
批號(hào): | 19+ |
封裝: | SOT-23 |
數(shù)量: | 320000 |
QQ: | 2530694866 |
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況: | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 |
濕氣敏感性等級(jí)(MSL): | 1(無限) |
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期: | 17 周 |
系列: | TrenchFET? |
包裝: | 剪切帶(CT) ,帶卷(TR) |
零件狀態(tài): | 在售 |
FET類型: | P溝道 |
技術(shù): | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源極電壓(Vdss): | 30V |
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)): | 3.5A(Tc) |
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn): | 4.5V,10V |
不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值): | 3V@250μA |
不同Vgs時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值): | 6.2nC@4.5V |
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值): | 340pF@15V |
柵源電壓 Vgss: | ±20V |
FET功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.1W(Ta),1.8W(Tc) |
不同 Id,Vgs時(shí)的 RdsOn(最大值): | 88毫歐@3.5A,10V |
工作溫度: | -55°C~150°C(TJ) |
安裝類型: | 表面貼裝(SMT) |
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 (QQ:2530694866)
電話 钺钵钼钼-钻钶钵钻钺钸钸钸
手機(jī) 钳钶钵钹钼钼钴钺钹钹钹
傳真 钺钵钼钼-钻钹钻钺钺钻钻钴
地址 廣東省深圳市
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