場(chǎng)效應(yīng)管 IRLML6302TRPBF INFINEON SOT-23工廠價(jià)格優(yōu)惠
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商品介紹
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品牌 INFINEON
Q Q 2530694866
封裝 SOT-23
批號(hào) 2019+
數(shù)量 320000
配置 Single
高度 1.1 mm
長(zhǎng)度 2.9 mm
商品介紹

商品詳情


RoHS是
技術(shù)Si
安裝風(fēng)格SMD/SMT
封裝 / 箱體SOT-23-3
通道數(shù)量1 Channel
晶體管極性P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓- 20 V
Id-連續(xù)漏極電流- 620 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻600 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓12 V
Qg-柵極電荷2.4 nC
配置Single
高度1.1 mm
長(zhǎng)度2.9 mm
Pd-功率耗散540 mW
產(chǎn)品MOSFET Small Signal
工廠包裝數(shù)量3000
晶體管類(lèi)型1 P-Channel
寬度1.3 mm
單位重量8 mg
制造商Infineon Technologies
系列HEXFET?
包裝方式Re-Reel?
壽命周期在售
FET 類(lèi)型P 溝道
漏源電壓（Vdss）20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）780mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.7V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）3.6nC @ 4.45V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）97pF @ 15V
功率耗散（最大值）540mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）600 毫歐 @ 610mA，4.5V
工作溫度范圍-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3







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公司名稱(chēng) 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣(mài)家 姚少華 （QQ：2530694866）
電話 쑡쑣쑠쑠-쑢쑝쑣쑢쑡쑦쑦쑦
手機(jī) 쑥쑝쑣쑤쑠쑠쑞쑡쑤쑤쑤
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地址 廣東省深圳市
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