MOSFET NTR4171PT1G ON SOT-23
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品牌 ON
Q Q 2530694866
封裝 SOT-23
數(shù)量 320000
年份 2019+
型號 NTR4171PT1G
通道數(shù)量 1 Channel
晶體管極性 P-Channel
商品介紹

商品詳情



制造商ON Semiconductor
包裝方式Re-Reel?
壽命周期在售
RoHS
技術(shù)Si
安裝風(fēng)格SMD/SMT
封裝 / 箱體SOT-23-3
通道數(shù)量1 Channel
晶體管極性P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓- 30 V
Id-連續(xù)漏極電流- 3.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻90 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓12 V
最小工作溫度- 55 C
最大工作溫度+ 150 C
配置Single
通道模式Enhancement
下降時(shí)間22 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值7 S
高度0.94 mm
長度2.9 mm
Pd-功率耗散1.25 W
產(chǎn)品MOSFET Small Signal
上升時(shí)間16 ns
系列NTR4171P
工廠包裝數(shù)量3000
晶體管類型1 P-Channel
類型Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間32 ns
典型接通延遲時(shí)間9 ns
寬度1.3 mm
單位重量1.438 g
FET 類型P 溝道
漏源電壓(Vdss)30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))2.2A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值)15.6nC @ 10V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)720pF @ 15V
功率耗散(最大值)480mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值)75 毫歐 @ 2.2A,10V
工作溫度范圍-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3




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公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 (QQ:2530694866)
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傳真 재잳잯잯-잲잭잲재재잲잲잱
地址 廣東省深圳市
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