無(wú)掩膜納米光刻機(jī)-dmd式無(wú)掩膜光刻機(jī)-鑫南光-快速-優(yōu)質(zhì)-優(yōu)價(jià)
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主要構(gòu)成
主要由對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)、雙目分離視場(chǎng)CCD顯微顯示系統(tǒng)、LED曝光頭、PLC電控系統(tǒng)、氣動(dòng)系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵、二級(jí)防震工作臺(tái)和附件箱等組成。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、曝光類(lèi)型:?jiǎn)蚊?;配?"LED用曝光頭
2、曝光面積:110×110mm;
3、曝光照度不均勻性:≤±3%;
4、曝光強(qiáng)度:0~30mw/cm2可調(diào);
5、紫外光束角:≤3?0?8;
6、紫外光中心波長(zhǎng):365nm;
7、紫外光源時(shí)間:≥2萬(wàn)小時(shí);
8、采用電子快門(mén);
9、曝光分辨率:1μm
10、顯微鏡掃描范圍:X: ±15mm Y:±15mm;
11、對(duì)準(zhǔn)范圍:X、Y 調(diào)節(jié) ±4mm;Q向調(diào)節(jié)±3°;
12、套刻精度:1μm;
13、分離量;0~50μm可調(diào);
14、曝光方式:接觸式曝光,可實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
15、找平方式:氣浮找平;
16、掩模版尺寸:≤127×127mm;
17、基片尺寸:≤Φ102mm(或者102×102mm);
18、基片厚度:≤5 mm;
19、曝光定時(shí):0~999.9秒可調(diào);
聯(lián) 系 人:劉先生/康先生/左先生
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