PRB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標(biāo)準(zhǔn)

一、PRB系列試塊：使用與I型在制和在用金屬材料制承壓設(shè)備焊接接頭相控陣超聲檢測(cè)，當(dāng)試塊滿足檢測(cè)需求時(shí)，也可采用NB/T47013.3所述的CSK-IIA系列試塊，使用范圍按NB/T47013.3的規(guī)定執(zhí)行，不適用于內(nèi)徑不大于200mm的管座角接頭檢測(cè)。

 二、技術(shù)特征：

1.一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，該試塊包括試塊基體(1)、吸聲材料(3)和多個(gè)橫通孔；其中，多個(gè)橫通孔水平貫穿試塊基體，多個(gè)橫通孔沿試塊基體的橫向間隔設(shè)置，并且多個(gè)橫通孔(2)的高度均布相同，吸聲材料(3)設(shè)置在試塊基體(1)的拐角處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，所述試塊基體(1)的材質(zhì)和上下表面的粗糙度與待檢測(cè)工件一致。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，所述橫通孔的高度按照等差數(shù)列依次排布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，相鄰兩個(gè)橫通孔之間的橫向間距為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，所述試塊基體為矩形，吸聲材料(3)呈l型，設(shè)置在試塊基體的底部的兩個(gè)直角位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，所述吸聲材料(3)靠近試塊基體的一側(cè)設(shè)置有消聲槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，所述消聲槽為設(shè)置在吸聲材料側(cè)壁上的鋸齒槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，所述吸聲材料(3)與試塊基體的聲阻抗相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊，其特征在于，所述試塊基體上設(shè)置有用于表示每個(gè)橫通孔高度、折射角極小值和和折射角極大值的刻度標(biāo)識(shí)。

10.一種權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊的校準(zhǔn)方法，其特征在于，將相控陣超聲(5)耦合在試塊基體的上表面，并橫向移動(dòng)找到距離試塊基體的上表面最小的橫通孔(2)在相控陣超聲(5)最小折射角下的最高回波，然后根據(jù)該橫通孔的刻度標(biāo)識(shí)作為輔助快速找到其最高回波；然后根據(jù)上述方法依次掃查不同高度的橫通孔(2)，實(shí)現(xiàn)了一次耦合獲得不同高度橫通孔及其對(duì)應(yīng)的不同角度相控陣超聲折射角的測(cè)定。

三、技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明公開了一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊及校準(zhǔn)方法，該試塊包括試塊基體、橫通孔、吸聲材料、刻度。其中試塊基體正面為矩形，橫通孔垂直于試塊基體正面，吸聲材料設(shè)置在試塊基體的左下角和右上角，刻度在試塊基體的上表面和下表面。本發(fā)明通過(guò)將不同深度的橫通孔在橫向錯(cuò)開設(shè)置，實(shí)現(xiàn)了在一次耦合中、沿著試塊上表面或下表面橫向掃查便可獲得不同深度、不同折射角的相控陣超聲的橫通孔回波，實(shí)現(xiàn)了TCG的有效校準(zhǔn)，減少了測(cè)量時(shí)間，精簡(jiǎn)了校準(zhǔn)程序；通過(guò)在左下角和右上角設(shè)置吸聲材料和消聲槽，大大降低了試塊的端角反射回波，使得即使橫通孔離試塊端角較近，端角回波也不會(huì)對(duì)橫通孔回波造成嚴(yán)重干擾；通過(guò)在試塊上表面設(shè)置刻度，實(shí)現(xiàn)了不同深度橫通孔及其對(duì)應(yīng)的不同角度相控陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準(zhǔn)確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準(zhǔn)確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準(zhǔn)確確定。