IRLML2803TRPBF產(chǎn)品詳細規(guī)格

文檔	IRLML2803TR Saber Model IRLML2803TR Spice Model
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
標準包裝	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）	30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C	1.2A
Rds（最大）@ ID，VGS	250 mOhm @ 910mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS	5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的	85pF @ 25V
功率 - 最大	540mW
安裝類型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝	Micro3?/SOT-23
包裝材料	Tape & Reel (TR)
包裝	3Micro
通道模式	Enhancement
最大漏源電壓	30 V
最大連續(xù)漏極電流	1.2 A
RDS -于	250@10V mOhm
最大門源電壓	±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間	3.9 ns
典型上升時間	4 ns
典型關(guān)閉延遲時間	9 ns
典型下降時間	1.7 ns
工作溫度	-55 to 150 °C
安裝	Surface Mount
標準包裝	Tape & Reel
最大門源電壓	±20
歐盟RoHS指令	Compliant
最高工作溫度	150
最低工作溫度	-55
包裝高度	1.02(Max)
最大功率耗散	540
渠道類型	N
封裝	Tape and Reel
最大漏源電阻	250@10V
最大漏源電壓	30
每個芯片的元件數(shù)	1
包裝寬度	1.4(Max)
供應(yīng)商封裝形式	Micro
包裝長度	3.04(Max)
PCB	3
最大連續(xù)漏極電流	1.2
引腳數(shù)	3
FET特點	Logic Level Gate
安裝類型	Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C	1.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	1V @ 250μA
漏極至源極電壓（Vdss）	30V
供應(yīng)商設(shè)備封裝	Micro3?/SOT-23
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS	250 mOhm @ 910mA, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	540mW
輸入電容（Ciss ） @ VDS	85pF @ 25V
其他名稱	IRLML2803PBFTR
閘電荷（Qg ） @ VGS	5nC @ 10V
封裝/外殼	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
類別	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高	1.02mm
長度	3.04mm
最大漏源電阻	0.25 Ω
最高工作溫度	+150 °C
最大功率耗散	0.54 W
最低工作溫度	-55 °C
包裝類型	SOT-23
典型柵極電荷@ VGS	3.3 nC V @ 10
典型輸入電容@ VDS	85 pF V @ 25
寬度	1.4mm
工廠包裝數(shù)量	3000
晶體管極性	N-Channel
源極擊穿電壓	20 V
連續(xù)漏極電流	1.2 A
安裝風格	SMD/SMT
RDS（ON）	400 mOhms
功率耗散	0.54 W
封裝/外殼	SOT-23
漏源擊穿電壓	30 V
RoHS	RoHS Compliant
柵極電荷Qg	3.3 nC
Current,Drain	1.2A
GateCharge,Total	3.3nC
PackageType	Micro3
極化方式	N-Channel
PowerDissipation	540mW
Resistance,DraintoSourceOn	0.25Ohm
Temperature,Operating,Maximum	+150°C
Temperature,Operating,Minimum	-55°C
Time,Turn-OffDelay	9ns
Time,Turn-OnDelay	3.9ns
Transconductance,Forward	0.87S
Voltage,Breakdown,DraintoSource	30V
Voltage,Forward,Diode	1.2V
Voltage,GatetoSource	±20V
案例	SOT23
Transistor type	N-MOSFET
功率	400mW
Drain-source voltage	30V
極化	unipolar
Drain current	1.2A
Multiplicity	1
Gross weight	0.06 g
輸出電流	850mA
On-state resistance	0.3Ω
輸出	N-MOSFET
Collective package [pcs]	3000
spg	3000
漏源極電壓 (Vdss)	30V
系列	HEXFET?
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)	85pF @ 25V
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）	250 mOhm @ 910mA, 10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)	5nC @ 10V
FET 功能	Logic Level Gate
FET 類型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250μA
封裝/外殼	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
功率 - 最大值	540mW
associated	IRLML2803PBF