江蘇電子級(jí)高純水設(shè)備，鋁箔腐蝕化成用超純水設(shè)備

鋁箔的下道工序腐蝕和化成，也是腐蝕化成箔（又稱電極箔）產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵的環(huán)節(jié)：

      1) 腐蝕過(guò)程是以電子光箔為原材料，通過(guò)電化學(xué)方法刻蝕（Etching）電子光箔表面形成孔洞，從而增加陰極、陽(yáng)極光箔的表面積，以提高其比電容而制成腐蝕箔；腐蝕技術(shù)決定比容高低——比容越高，電極箔需使用面積越小，電容器體積越小。

      2) 化成（Forming）是陽(yáng)極腐蝕箔采用陽(yáng)極氧化原理，根據(jù)對(duì)電極箔耐壓值要求的不同，采用不同的陽(yáng)極氧化電壓（Vf），在其表面生成氧化薄膜（Al2O3）作為介電質(zhì)，制成腐蝕化成箔。化成技術(shù)決定電壓和容量損耗的大小——化成技術(shù)越高，越耐高壓，容量損耗小，壽命越長(zhǎng)。

   腐蝕和化成工藝段會(huì)用到大量的去離子水對(duì)鋁箔清洗，水中的金屬離子會(huì)直接影響產(chǎn)品性能，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種微電子行業(yè)用高純水，如半導(dǎo)體生產(chǎn)、電子二級(jí)管生產(chǎn)、電子線路板生產(chǎn)、新能源電池生產(chǎn)、鋁箔腐蝕化成生產(chǎn)用高純水設(shè)備。

   目前一般用高純水設(shè)備的水質(zhì)普遍要求在10兆歐以上，有的要求要達(dá)到15-18兆歐，基本上會(huì)采用二級(jí)反滲透+edi處理工藝和反滲透+離子交換混床工藝。