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MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（二）

模擬電路

有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來(lái)得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒(méi)有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來(lái)取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來(lái)的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。

為什么在led驅(qū)動(dòng)電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅(qū)動(dòng)電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價(jià)比、系統(tǒng)來(lái)散熱（包括電源本身和燈具）幾方面考慮，并不一定要求LED電源要用MOS管：

1、從散源熱角度考慮：LED驅(qū)動(dòng)電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體，根據(jù)多年設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，我們賽明源電源在設(shè)計(jì)30W以上電源時(shí)全部使用MOS管與控制IC分離方案。因?yàn)榘?，就現(xiàn)有技術(shù)（截止2015年）內(nèi)置MOS管方案超過(guò)30W以上電源散熱就是問(wèn)題，系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性；

2、從度性價(jià)比上考慮：在設(shè)計(jì)30W以下LED電源時(shí)，賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道，因?yàn)檫@種方案已經(jīng)成熟，散熱不是問(wèn)題，系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS，再說(shuō)內(nèi)置MOS方案EMC指標(biāo)很容易通過(guò)。

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伴隨著WiFi6的落地式普及化，高速運(yùn)行產(chǎn)生的高變換與高容，對(duì)無(wú)線路由器等機(jī)器設(shè)備的運(yùn)存將會(huì)出現(xiàn)高些的規(guī)定。

DDR做為運(yùn)用普遍的動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，被運(yùn)用于光纖貓機(jī)器設(shè)備中，DDR實(shí)質(zhì)上不用提升時(shí)鐘頻率就能翻倍提升SDRAM的速率，它容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。