高純蒸發(fā)料

蒸發(fā)作為PVD技術的一種，被廣泛應用于半導體行業(yè)中的芯片背面金屬化工藝，中諾新材（北京）科技有限公司作為專業(yè)的PVD薄膜材料供應商，可以提供各種規(guī)格的全系列高純金屬蒸發(fā)材料。這些材料可做成絲狀，片狀，顆粒狀。適用于鎢絲籃加熱蒸發(fā)，鎢舟，鉬舟蒸發(fā)，各種坩堝蒸發(fā)等。

同時，這些材料亦廣泛應用于精密合金熔煉、高純化合物制備以及高品質晶體制備等領域。

中諾新材可提供的常規(guī)陶瓷靶材如下：

氧化鋁靶 Al2O3 99.99%

氧化鉿靶 HfO2 99.99%

氧化鎂靶 MgO 99.99%

氧化硅靶 SiO2 99.999%

氧化鉭靶 Ta2O5 99.99%

氧化鈦靶 TiO2 99.99%

氧化鋅靶 ZnO 99.99%

氟化鎂靶 MgF 99.99%

硫化鋅靶 ZnS 99.99%

氮化鈦靶 TiN 99.9%

氮化鋁靶 AlN 99.9%

氮化硼靶 BN 99.9%

碳化硅靶 SiC 99.9%

常備現(xiàn)貨的靶材尺寸：

φ50.8mm  φ60mm

φ80mm,

φ100mm φ101.6mm

其它尺寸圓靶、方靶可定制

陶瓷靶材質脆，受熱不均易碎，推薦綁定銅背靶，以增強靶材導熱性能，提供靶材利用率

中諾新材可根據您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結，常壓燒結等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%