制造商: Texas Instruments LT1013DDR LT1013DDR LT1013DDR LT1013DDR

產(chǎn)品種類: 精密放大器

RoHS:  詳細(xì)信息  

系列: LT1013D

通道數(shù)量: 2 Channel

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 1 MHz

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 0.4 V/us

CMRR - 共模抑制比: 97 dB to 114 dB

Ib - 輸入偏流: 30 nA

Vos - 輸入偏置電壓 : 0.8 mV

en - 輸入電壓噪聲密度: 24 nV/sqrt Hz

電源電壓-最大: 44 V

電源電壓-最小: 4 V

工作電源電流: 350 uA

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 125 C

關(guān)閉: No Shutdown

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Offset Voltage Amplifier  

高度: 1.58 mm  

輸入類型: Rail-to-Rail  

長度: 4.9 mm  

產(chǎn)品: Precision Amplifiers  

電源類型: Single, Dual  

技術(shù): Bipolar  

寬度: 3.91 mm  

商標(biāo): Texas Instruments  

雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V  

In—輸入噪聲電流密度: 0.07 pA/sqrt Hz  

最大雙重電源電壓: +/- 22 V  

最小雙重電源電壓: +/- 2 V  

工作電源電壓: 4 V to 44 V, +/- 2 V to +/- 22 V  

產(chǎn)品類型: Precision Amplifiers  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: Amplifier ICs  

Vcm - 共模電壓: Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V  

電壓增益 dB: 120 dB  

單位重量: 72.600 mg

電壓增益 dB: 120 dB  

單位重量: 72.600 mg

電壓增益 dB: 120 dB  

單位重量: 72.600 mg