IRG4PC50UPBF   分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  UGBT   MOSFET  單 （百分百原裝現(xiàn)貨  優(yōu)勢供應(yīng)）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 2 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 55 A

Pd-功率耗散: 200 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

封裝: Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 27 A  

高度: 20.7 mm (Max)  

長度: 15.87 mm (Max)  

寬度: 5.31 mm (Max)  

商標(biāo): Infineon Technologies  

柵極—射極漏泄電流: 100 nA  

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors  

工廠包裝數(shù)量: 400  

子類別: IGBTs  

零件號別名: SP001547878  

單位重量: 38 g  

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