SI4497DYSI4497DYSI4497DYSI4497DYSI4497DY

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.7 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 285 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 7.8 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

系列: SI4  

晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 75 S  

下降時(shí)間: 25 ns  

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET  

上升時(shí)間: 13 ns  

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 2500  

子類(lèi)別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 115 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 19 ns  

零件號(hào)別名: SI4497DY-GE3  

單位重量: 506.600 mg  

深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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