SI4599DYSI4599DYSI4599DYSI4599DYSI4599DYSI4599DY

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3 W, 3.1 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長(zhǎng)度: 4.9 mm  

系列: SI4  

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 14 S, 22 S  

下降時(shí)間: 9 ns, 9 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 10 ns, 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3 W, 3.1 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長(zhǎng)度: 4.9 mm  

系列: SI4  

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 14 S, 22 S  

下降時(shí)間: 9 ns, 9 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 10 ns, 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

零件號(hào)別名: SI4599DY-GE3  

單位重量: 540 mg