SI4564DYSI4564DYSI4564DYSI4564DYSI4564DYSI4564DY

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10 A, 9.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 17.5 mOhms, 21 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV, 1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 20.5 nC, 41.5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.1 W, 3.2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

系列: SI4  

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S, 25 S  

下降時(shí)間: 9 ns, 14 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 10 ns, 9 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns, 50 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 7 ns, 9 ns  

零件號別名: SI4542DY-T1-E3-S  

單位重量: 506.600 mg