IRF640PBF  分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  單 （百分百原裝現(xiàn)貨  優(yōu)勢供應(yīng)）

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220AB-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.5 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 8.2 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 36 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

高度: 15.49 mm  

長度: 10.41 mm  

系列: IRF  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 4.7 mm  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.8 S  

下降時(shí)間: 8.9 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 17 ns  

工廠包裝數(shù)量: 50  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 14 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 8.2 ns  

單位重量: 6 g

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