制造商: ON Semiconductor

產品種類: 肖特基二極管與整流器

產品: Schottky Diodes

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23

If - 正向電流: 0.2 A

Vrrm - 重復反向電壓: 30 V

Vf - 正向電壓: 0.8 V

Ifsm - 正向浪涌電流: 0.6 A

配置: Dual Common Cathode

技術: Si

Ir - 反向電流 : 2 uA at 25 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: BAT54C

封裝: Reel

高度: 0.93 mm  

長度: 2.92 mm  

工作溫度范圍: - 55 C to + 150 C  

端接類型: SMD/SMT  

類型: Schottky Diode  

寬度: 1.3 mm  

商標: ON Semiconductor / Fairchild  

產品類型: Schottky Diodes & Rectifiers  

工廠包裝數量: 3000  

子類別: Diodes & Rectifiers  

trr - 反向恢復時間 : 5 ns  

零件號別名: BAT54C_NL  

單位重量: 31 mg

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。