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藍界科技(深圳)有限公司
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肖特基二極管-B560C-13-F-DIODES-海量現(xiàn)貨
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制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: 肖特基二極管與整流器
產(chǎn)品: Schottky Diodes
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SMC
If - 正向電流: 5 A
Vrrm - 重復(fù)反向電壓: 60 V
Vf - 正向電壓: 0.7 V
Ifsm - 正向浪涌電流: 100 A
配置: Single
技術(shù): Si
Ir - 反向電流 : 500 uA
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: B520C/CQ - B560C/CQ
封裝: Reel
高度: 2.5 mm
長度: 7.11 mm
工作溫度范圍: - 55 C to + 125 C
端接類型: SMD/SMT
類型: Schottky Barrier Rectifier
寬度: 6.22 mm
商標: Diodes Incorporated
產(chǎn)品類型: Schottky Diodes & Rectifiers
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Diodes & Rectifiers
單位重量: 210 mg
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,于是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動,從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡,便形成了肖特基勢壘。
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