制造商: Adesto Technologies

產(chǎn)品種類: NOR閃存 

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

系列: AT45DB041E

存儲容量: 4 Mbit

最大時鐘頻率: 70 MHz

接口類型: SPI

組織: 512 k x 8

定時類型: Synchronous

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

電源電壓-最小: 1.65 V

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電流—最大值: 15 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Reel

存儲類型: NOR  

速度: 70 MHz  

結(jié)構(gòu): Chip Erase  

商標(biāo): Adesto Technologies  

產(chǎn)品類型: NOR Flash  

工廠包裝數(shù)量: 2000  

子類別: Memory & Data Storage  

商標(biāo)名: DataFlash  

單位重量: 540 mg

閃存技術(shù)編輯

是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND Flash 結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP ，eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設(shè)計(jì)中應(yīng)該考慮這些情況?！禔RM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)從入門到精通》 李亞峰 歐文盛 等編著 清華大學(xué)出版社 P52 注釋 API Key