磁性傳感器 AS5600 可代替AS5145B
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磁性傳感器 AS5600 可代替AS5145B

磁性傳感器-AS5600-可代替AS5145B

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聯(lián)系人 張桐/蘇玥

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商品介紹
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型號(hào) AS5600
品牌 AMS
封裝 SOP8
批號(hào) 18+
數(shù)量 6000
數(shù)量 5000
商品介紹

制造商: ams

產(chǎn)品種類: 板機(jī)接口霍耳效應(yīng)/磁性傳感器

類型: Absolute Encoder

工作電源電流: 6.5 mA

工作電源電壓: 5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

輸出類型: Analog  

產(chǎn)品: Magnetic Encoders  

分辨率: 12 bit  

端接類型: SMD/SMT  

商標(biāo): ams  

Pd-功率耗散: 50 mW  

產(chǎn)品類型: Hall Effect / Magnetic Sensors  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: Sensors  

電源電壓-最大: 5.5 V  

電源電壓-最小: 4.5 V  

零件號(hào)別名: 191240005



磁傳感器廣泛用于現(xiàn)代工業(yè)和電子產(chǎn)品中以感應(yīng)磁場強(qiáng)度來測量電流、位置、方向等物理參數(shù)。在現(xiàn)有技術(shù)中,有許多不同類型的傳感器用于測量磁場和其他參數(shù)。

例如采用霍爾(Hall)元件,各向異性磁電阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或巨磁電阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件為敏感元件的磁傳感器。TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年來開始工業(yè)應(yīng)用的新型磁電阻效應(yīng)傳感器,其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對(duì)磁場進(jìn)行感應(yīng),比之前所發(fā)現(xiàn)并實(shí)際應(yīng)用的AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率。我們通常也用磁隧道結(jié)(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)來代指TMR元件,MTJ元件相對(duì)于霍爾元件具有更好的溫度穩(wěn)定性,更高的靈敏度,更低的功耗,更好的線性度,不需要額外的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu);相對(duì)于AMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性,更高的靈敏度,更寬的線性范圍,不需要額外的set/reset線圈結(jié)構(gòu);相對(duì)于GMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性,更高的靈敏度,更低的功耗,更寬的線性范圍。



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公司名稱 藍(lán)界科技(深圳)有限公司
聯(lián)系賣家 張桐/蘇玥 (QQ:2355295460)
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網(wǎng)址 http://gsdzgs.dzsc.com
地址 廣東省深圳市