BSC039N06NS產(chǎn)品規(guī)格

BSC039N06NS制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 27 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

BSC039N06NS封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.27 mm  

長度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 5  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 42 S  

下降時間: 7 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns  

典型接通延遲時間: 12 ns  

零件號別名: BSC039N06NSATMA1 BSC39N6NSXT SP000985386  

單位重量: 118.240 mg

系列: OptiMOS 5  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 42 S  

下降時間: 7 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns  

典型接通延遲時間: 12 ns  

零件號別名: BSC039N06NSATMA1 BSC39N6NSXT SP000985386  

單位重量: 118.240 mg

BSC039N06NS產(chǎn)品圖