BSC066N06NS規(guī)格

制造商: Infineon

BSC066N06NS產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

BSC066N06NS技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 64 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 17 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 46 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.27 mm  

長(zhǎng)度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 5  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S  

下降時(shí)間: 3 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 3 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 7 ns  

零件號(hào)別名: BSC066N06NSATMA1 SP001067000  

單位重量: 100 mg

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S  

下降時(shí)間: 3 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 3 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 7 ns  

零件號(hào)別名: BSC066N06NSATMA1 SP001067000  

單位重量: 100 mg

BSC066N06NS圖

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