FDMA6676PZ原裝MOSFET安森美專營
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型號/規(guī)格 FDMA6676PZ
品牌/商標(biāo) ON(安森美)
封裝形式 QFN16
環(huán)保類別 普通型
安裝方式 貼片式
包裝方式 盒帶編帶包裝
功率特性 大功率
頻率特性 超高頻
極性 PNP型
商品介紹

FDMA6676PZ是超低電阻P溝道FET。它專為電力線負(fù)載切換應(yīng)用和反極性保護(hù)而設(shè)計。它特別針對可以高達(dá)25V的電壓軌進(jìn)行了優(yōu)化。典型的終端系統(tǒng)包括筆記本電腦,平板電腦和手機(jī)。應(yīng)用包括電池保護(hù),輸入電源線保護(hù)和充電路徑保護(hù),包括USB和其他充電路徑。FDMA6676PZ具有25V的增強(qiáng)型V GS額定值,專為簡化安裝而設(shè)計。當(dāng)用作反向極性保護(hù)時,柵極接地并且漏極連接到V輸入,它設(shè)計用于支持高達(dá)25V的工作輸入電壓,而無需在柵極上進(jìn)行外部齊納保護(hù)。它的小2x2x0。主要特點最大r DS(on)= 13.5mΩ@ V GS = -10 V.25V V GS擴(kuò)展工作額定值30V V DS阻斷2x2mm外形薄型 - 最大0.8毫米集成d保護(hù)二極管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)Halo gen Free技術(shù)屬性尋找相似的零件描述值最大漏極源電壓30 V安裝表面貼裝針數(shù)6產(chǎn)品尺寸2 x 2 x 0.75(最大)電壓600ECCN / UNSPSC描述值ECCN:EAR99HTSN:8541290095" 8541.29.00.95

FDMA6676PZ屬于FET 類型P 溝道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss)30V電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)11A(Ta)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)13.5 毫歐 @ 11A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)46nC @ 10VVgs(最大值)±25V不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)2160pF @ 15VFET 功能-功率耗散(最大值)2.4W(Ta)工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝6-MicroFET(2x2)封裝/外殼6-PowerWDFN

FDMA6676PZ圖一

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公司名稱 深圳市合芯力科技有限公司
聯(lián)系賣家 歐小姐 (QQ:942670584)
電話 䝑䝗䝏䝏-䝕䝐䝓䝘䝓䝓䝑䝏
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傳真 䝑䝗䝏䝏-䝕䝐䝓䝘䝓䝓䝑䝕
網(wǎng)址 http://www.hexinli.net
地址 廣東省深圳市