AO4818L場效應(yīng)管規(guī)格：

    FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

    FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

    漏源電壓（Vdss）：30V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8A

    不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 8A，10V

    不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：888pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應(yīng)商器件封裝：8-SO

    場效應(yīng)管的參數(shù)：

    ① 開啟電壓VGS(th) (或VT)

    開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通

    ② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)

    夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS(off) 時，漏極電流為零

    ③ 飽和漏極電流IDSS

    耗盡型場效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流

    ④ 輸入電阻RGS

    場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω

    ⑤ 低頻跨導(dǎo)gm

    低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取，單位是mS(毫西門子)

    ⑥ 最大漏極功耗PDM

    最大漏極功耗可由PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)