倒裝芯片COB與正式COB相比有哪些優(yōu)勢(shì)？隨著LED產(chǎn)品的成熟度越來(lái)越高，該技術(shù)變得越來(lái)越困難。倒裝芯片LED技術(shù)近年來(lái)逐漸受到業(yè)界的追捧。由于其良好的無(wú)金散熱性，但成本高，COB已成為市場(chǎng)的良好墊腳石。首先，底部藍(lán)寶石襯底面向上，光子來(lái)自高度透明的藍(lán)寶石襯底，相應(yīng)的正負(fù)載芯片光子需要穿過(guò)ITO導(dǎo)電層。其次，由于電極面朝下，發(fā)光熱量的量子阱也低于此，因此導(dǎo)熱路徑短，散熱效果更好。第三，管芯焊盤(pán)和基板之間的連接直接由金屬焊接制成，這不僅固定芯片，而且還加強(qiáng)了熱傳導(dǎo)（純金屬的導(dǎo)熱率高于非金屬的導(dǎo)熱率）。 4. LED封裝中的引線鍵合非常容易出問(wèn)題。在此過(guò)程中，超過(guò)90％的LED死燈與鍵合線相關(guān)。采用倒裝芯片技術(shù)的無(wú)需金線封裝的LED光源可以完全解決死燈問(wèn)題，這在COB和集成光源中更為重要。第五，整燈測(cè)試溫度較低，光衰減較小。

優(yōu)選地，所述電極包括di一電極和第二電極，位于所述基板的兩端正面，與所述di一電極和第二電極位置相匹配處分別設(shè)置有貫穿所述基板的di一通孔和第二通孔，所述di一金屬層包括di一金屬層a和di一金屬層b，所述di一金屬層a和di一金屬層b位于所述基板的背面與所述di一電極及第二電極位置相匹配，所述第二金屬層包括第二金屬層a和第二金屬層b，所述第二金屬層a和第二金屬層b位于所述di一通孔及第二通孔內(nèi)壁。

優(yōu)選地，所述LED芯片為六個(gè)，其中每三個(gè)并排排列每三個(gè)LED芯片之間相互串聯(lián)，串聯(lián)后的LED芯片相互并聯(lián)。

優(yōu)選地，所述熒光粉為鋁酸鹽、氮化物、硅酸鹽熒光粉中的一種或多種。

優(yōu)選地，所述熒光粉采用噴涂的方式設(shè)置于所述LED芯片的周?chē)?

優(yōu)選地，所述基板的背面與所述LED芯片相匹配的位置還設(shè)置有第三金屬層，所述第三金屬層與di一金屬層之間相互絕緣。