制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 19.8 A

Rds On-漏源導通電阻: 4.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 30 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.25 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商標名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: SI4  

晶體管類型: 2 N-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標: Vishay / Siliconix  

正向跨導 - 最小值: 50 S  

下降時間: 9 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 15 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 24 ns  

典型接通延遲時間: 8 ns  

零件號別名: SI4204DY-GE3  

單位重量: 506.600 mg  

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