AO4438L場效應(yīng)管規(guī)格：

    FET 類型：N 溝道

    技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

    漏源電壓（Vdss）：60V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：8.2A（Ta）

    驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：58nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±20V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2300pF @ 30V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    場效應(yīng)管的參數(shù)

    1 輸入電阻RGS

    場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω

    2 低頻跨導(dǎo)gm

    低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點(diǎn)與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取，單位是mS(毫西門子)

    3 最大漏極功耗PDM

    最大漏極功耗可由PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)