AO4803L場效應(yīng)管規(guī)格：

    FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

    FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

    漏源電壓（Vdss）：30V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5A

    不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：52 毫歐 @ 5A，10V

    不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：520pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應(yīng)商器件封裝：8-SO

    MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項：

    MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則：

    （1）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。

    （2）. 在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。

    （3）.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。