AO4606場效應管采用先進的溝槽技術MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 互補MOSFET可用于形成電平移位的高側開關，并用于許多其他應用。

    AO4606場效應管參數(shù)：

    制造商零件編號：AO4606

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC

    FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

    FET 功能：邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss)：30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6A

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：25 毫歐 @ 6A，10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1250pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應商器件封裝：8-SOIC

    工作原理：

    場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

    在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。