AO4447A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)：

    制造商零件編號(hào)：AO4447A

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC

    系列：-

    FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

    FET 功能：邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss)：30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：17A（Ta）

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：7 毫歐 @ 17A，10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：105nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5500pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    AO4447A場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)：

    溝槽功率MOSFET技術(shù)

    低RDS（ON）

    ESD保護(hù)

    符合RoHS和無(wú)鹵素標(biāo)準(zhǔn)

    系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)

    電池開(kāi)關(guān)

    USB-PD負(fù)載開(kāi)關(guān)

    注意事項(xiàng)：

    （1）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

    （2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達(dá)到30W。

    ( 3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

    （4）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。