AO4440L場效應管規(guī)格：

    FET 類型：N 溝道

    技術：MOSFET（金屬氧化物）

    漏源電壓（Vdss）：60V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5A（Ta）

    驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：55 毫歐 @ 5A，10V

    不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：10.5nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±20V

    不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：540pF @ 30V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    供應商器件封裝：8-SOIC

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    場效應管特點：

    1、場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；

    2、場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。

    3、它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

    4、它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

    5、場效應管的抗輻射能力強；

    6、由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。