AO4615L場效應(yīng)管規(guī)格:

造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

描述：MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.8nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：650pF @ 20V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

AO4615L場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。

場效應(yīng)管應(yīng)用領(lǐng)域:

1：工業(yè)領(lǐng)域、步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動、電鉆工具、工業(yè)開關(guān)電源

2：新能源領(lǐng)域、光伏逆變、充電樁、無人機(jī)

3：交通運(yùn)輸領(lǐng)域、車載逆變器、汽車HID安定器、電動自行車AO4615L場效應(yīng)管