AON6411 -30V/-120A/DFN封裝P溝道MOS管場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨 WSD30L120DN
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品牌 WINSOK微碩
型號(hào) AON6411
封裝 DFN
批號(hào) 2018
FET類型 P-Ch MOSFET
漏源電壓(Vdss) -30V
漏極電流(Id) -120A
漏源導(dǎo)通電阻(RDS On) 3.6mΩ
柵源電壓(Vgs) ±20
柵極電荷(Qg) 135
反向恢復(fù)時(shí)間 -2.5
最大耗散功率 6.8
配置類型 增強(qiáng)型
工作溫度范圍 -55 to 150
安裝類型 絕緣柵(MOSFET)
應(yīng)用領(lǐng)域 3C數(shù)碼,醫(yī)療電子,物聯(lián)網(wǎng)IoT,新能源,軍工/航天,安防設(shè)備,家用電器,智能家居,廣電教育,照明電子,測(cè)量?jī)x器,可穿戴設(shè)備,汽車電子,網(wǎng)絡(luò)通信
商品介紹

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公司名稱 深圳市冠華偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系賣家 林小輝 (QQ:178585772)
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