SI4816BDYMOSFET 30VVds 20V Vgs SO-8
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SI4816BDYMOSFET-30VVds-20V-Vgs

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安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 SO-8
通道模式 Enhancement
商標(biāo)名 TrenchFET
系列 SI4
數(shù)量 5000
商品介紹


制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 6.8 A, 11.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.5 mOhms, 18.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 7.8 nC, 11.6 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.4 W, 2.4 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: SI4  

晶體管類型: 2 N-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S, 31 S  

下降時間: 9 ns, 11 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 9 ns, 9 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 24 ns, 31 ns  

典型接通延遲時間: 11 ns, 13 ns  

零件號別名: SI4816BDY-E3  

單位重量: 187 mg





深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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聯(lián)系賣家 林凱 (QQ:3004278738)
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