基于二極管的TVS產(chǎn)品擁有其它ESD保護(hù)產(chǎn)品所不具備的多用性——可選擇單向和雙向保護(hù)?；径O管是單向產(chǎn)品，且是僅有的單向保護(hù)元件。串聯(lián)結(jié)合兩個(gè)二極管就能輕易地構(gòu)成雙向保護(hù)。雙向保護(hù)可通過(guò)共陰極或共陽(yáng)極配置來(lái)實(shí)現(xiàn)。使用一對(duì)單向TVS器件便能實(shí)現(xiàn)雙向保護(hù)性能。市面上有多種基于雙向二極管的TVS器件，這些器件中的兩個(gè)二極管均位于同一個(gè)封裝，甚至經(jīng)常集成在單個(gè)硅襯底上。

過(guò)去，硅TVS器件由于電容高，在保護(hù)低壓高速信號(hào)線路方面存在劣勢(shì)。然而，近年來(lái)的技術(shù)進(jìn)步消除了這種不利因素。安森美半導(dǎo)體的新產(chǎn)品ESD9L5.0將硅器件保護(hù)的優(yōu)勢(shì)與高速應(yīng)用要求的低電容結(jié)合在一起。這個(gè)產(chǎn)品的特性就像一個(gè)簡(jiǎn)單的齊納二極管。事實(shí)上，ESD9L5.0包含一個(gè)擊穿電壓低的齊納二極管和一對(duì)擊穿電壓高(因而電容小)的標(biāo)準(zhǔn)二極管。

瞬態(tài)抑制二極管是一種能把瞬態(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平的高效能保護(hù)器件。瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時(shí)態(tài)的畸變，會(huì)對(duì)微電子半導(dǎo)體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬態(tài)電壓侵襲后,它的性能沒(méi)有明顯的下降，但是多次累積的侵襲會(huì)給芯片器件造成內(nèi)傷而形成隱患。瞬態(tài)抑制二極管能夠有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。 

公司分銷：AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR 等各種片狀穩(wěn)壓、ESD靜電保護(hù)，TVS抑制管，高分子ESD保護(hù)，場(chǎng)效應(yīng)、達(dá)林頓、變?nèi)?、二?/span>三極管。經(jīng)銷的產(chǎn)品廣泛用于消費(fèi)累電子、LED、家電、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、汽車電子、航空、電表、儀器儀表、電源、計(jì)算機(jī)及外設(shè)等行業(yè)。

二極管的特性舉例

   1、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時(shí)的V-I特性

對(duì)應(yīng)于第①段的正向特性，此時(shí)加于二極管的正向電壓只有零點(diǎn)幾伏，但相對(duì)來(lái)說(shuō)流過(guò)管子的電流卻很大，因此管子呈現(xiàn)的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向電壓較小，外電場(chǎng)還不足以克服PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，因而這時(shí)的正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)出一個(gè)大電阻，好像有一個(gè)門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區(qū)電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當(dāng)正向電壓大于Vth時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)大為削弱，電流因而迅速增長(zhǎng)。

2、反向特性：二極管外加反向偏置電壓時(shí)的V-I特性

P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（電子）和N型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過(guò)PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級(jí)為：硅管nA級(jí)，鍺管大mA級(jí)。

溫度升高時(shí)，由于少數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

3、反向擊穿特性：二極管擊穿時(shí)的V-I特性

當(dāng)增加反向電壓時(shí)， 因在一定溫度條件下， 少數(shù)載流子數(shù)目有限，故起始一段反向電流沒(méi)有多大變化，當(dāng)反向電壓增加到一定大小時(shí)，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對(duì)應(yīng)于第③段，其原因與PN結(jié)擊穿相同。