型號；IXTQ52N30P

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息

 技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3P-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-ChannelVds-

漏源極擊穿電壓:300 VId-

連續(xù)漏極電流:52 ARds On-

漏源導通電阻:66 mOhmsVgs - 

柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 CPd-

功率耗散:400 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube高度:20.3 mm 

長度:15.8 mm 

系列:IXTQ52N30

晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:4.9 mm 

商標:IXYS 

下降時間:20 ns

 產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時間:22 ns 

工廠包裝數(shù)量:30 

子類別:MOSFETs 

典型關閉延遲時間:60 ns 

典型接通延遲時間:24 ns

 單位重量:5.500 g

Mouser編號：747-IXTQ52N30P

制造商編號：IXTQ52N30P

制造商：IXYS

說明：MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds

數(shù)據(jù)表: IXTQ52N30P 數(shù)據(jù)表