深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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IXTQ52N30P-TO-3P-分立半導體-晶體管
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型號;IXTQ52N30P
制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-3P-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-ChannelVds-
漏源極擊穿電壓:300 VId-
連續(xù)漏極電流:52 ARds On-
漏源導通電阻:66 mOhmsVgs -
柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 CPd-
功率耗散:400 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube高度:20.3 mm
長度:15.8 mm
系列:IXTQ52N30
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.9 mm
商標:IXYS
下降時間:20 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:22 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:60 ns
典型接通延遲時間:24 ns
單位重量:5.500 g
Mouser編號:747-IXTQ52N30P
制造商編號:IXTQ52N30P
制造商:IXYS
說明:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
數(shù)據(jù)表: IXTQ52N30P 數(shù)據(jù)表