FQPF10N60C的主要參數(shù)

型號：FQPF10N60C

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

 技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600

 VId-連續(xù)漏極電流:9.5 ARds

 On-漏源導通電阻:730 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:16.3 mm 

長度:10.67 mm 

系列:FQPF10N60C

 晶體管類型:1 N-Channel 

類型:MOSFET 

寬度:4.7 mm

 商標:ON Semiconductor / Fairchild 

下降時間:77 ns 

產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時間:69 ns

 工廠包裝數(shù)量:1000

 子類別:MOSFETs 

典型關(guān)閉延遲時間:144 ns 

典型接通延遲時間:23 ns 

零件號別名:FQPF10N60C_NL 

單位重量:2.270 g

Mouser編號：512-FQPF10N60C

制造商編號：FQPF10N60C

制造商：ON Semiconductor / Fairchild

說明：MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

公司簡介:

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