二極管的特性舉例

   1、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時的V-I特性

對應于第①段的正向特性，此時加于二極管的正向電壓只有零點幾伏，但相對來說流過管子的電流卻很大，因此管子呈現(xiàn)的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向電壓較小，外電場還不足以克服PN結(jié)的內(nèi)電場，因而這時的正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)出一個大電阻，好像有一個門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區(qū)電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當正向電壓大于Vth時，內(nèi)電場大為削弱，電流因而迅速增長。

2、反向特性：二極管外加反向偏置電壓時的V-I特性

P型半導體中的少數(shù)載流子（電子）和N型半導體中的少數(shù)載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級為：硅管nA級，鍺管大mA級。

溫度升高時，由于少數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

3、反向擊穿特性：二極管擊穿時的V-I特性

當增加反向電壓時， 因在一定溫度條件下， 少數(shù)載流子數(shù)目有限，故起始一段反向電流沒有多大變化，當反向電壓增加到一定大小時，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對應于第③段，其原因與PN結(jié)擊穿相同。

     基于二極管的TVS產(chǎn)品擁有其它ESD保護產(chǎn)品所不具備的多用性——可選擇單向和雙向保護?；径O管是單向產(chǎn)品，且是僅有的單向保護元件。串聯(lián)結(jié)合兩個二極管就能輕易地構(gòu)成雙向保護。雙向保護可通過共陰極或共陽極配置來實現(xiàn)。使用一對單向TVS器件便能實現(xiàn)雙向保護性能。市面上有多種基于雙向二極管的TVS器件，這些器件中的兩個二極管均位于同一個封裝，甚至經(jīng)常集成在單個硅襯底上。

過去，硅TVS器件由于電容高，在保護低壓高速信號線路方面存在劣勢。然而，近年來的技術(shù)進步消除了這種不利因素。安森美半導體的新產(chǎn)品ESD9L5.0將硅器件保護的優(yōu)勢與高速應用要求的低電容結(jié)合在一起。這個產(chǎn)品的特性就像一個簡單的齊納二極管。事實上，ESD9L5.0包含一個擊穿電壓低的齊納二極管和一對擊穿電壓高(因而電容小)的標準二極管。

公司分銷：AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR 等各種片狀穩(wěn)壓、ESD靜電保護，TVS抑制管，高分子ESD保護，場效應、達林頓、變?nèi)?、二?/span>三極管。經(jīng)銷的產(chǎn)品廣泛用于消費累電子、LED、家電、網(wǎng)絡通訊、安防、汽車電子、航空、電表、儀器儀表、電源、計算機及外設等行業(yè)。