型號(hào)；IRFB38N20D

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息 

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-ChannelVds-

漏源極擊穿電壓:200 VId-

連續(xù)漏極電流:44 ARds On-

漏源導(dǎo)通電阻:54 mOhmsVgs - 

柵極-源極電壓:30 VQg-

柵極電荷:60 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 CPd-

功率耗散:320 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:15.65 mm 

長(zhǎng)度:10 mm 

晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:4.4 mm 

商標(biāo):Infineon Technologies 

正向跨導(dǎo) - 最小值:17 S 

下降時(shí)間:47 ns 

產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時(shí)間:95 ns 

工廠包裝數(shù)量:1000 

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:29 ns 

典型接通延遲時(shí)間:16 ns 

零件號(hào)別名:SP001556010 

單位重量:6 g

Mouser編號(hào)：942-IRFB38N20DPBF

制造商編號(hào)：IRFB38N20DPBF

制造商：Infineon Technologies

說明：MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

數(shù)據(jù)表: IRFB38N20DPBF 數(shù)據(jù)表